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共 14 个结果
离子注入机体积庞大,结构非常复杂。根据它所能提供的离子束流大小和能量可分为高电流和中电流离子注入机以 及高能量、中能量和低能量离子注入机。
关键字:半导体  离子注入工艺  离子注入设备
作者:百度文库
离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。
关键字:半导体技术  离子植入
作者:百度文库
发布时间:2017-11-06
蚀刻的机制,按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻,包含反应物接近、生成物离开的扩散效应,以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间,等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长,整个蚀刻之快慢也卡在该者,故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。
关键字:半导体技术  蚀刻
作者:百度文库
发布时间:2017-11-06
一般而言,正光阻,如AZ-1350、AZ-5214、FD-6400L等,其分辨率及边缘垂直度均佳,但易变质,储存期限也较短 (约半年到一年之间),常用于学术或研发单位;而负光阻之边缘垂直度较差,但可储存较久,常为半导体业界所使用。
关键字:半导体技术  微影
作者:百度文库
半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值,却不影响其机械物理性质的特点,是进一步创造出p-n接合面(p-n junction)、二极管(diode)、晶体管(transistor)、以至于大千婆娑之集成电路(IC)世界之基础。而扩散是达成导电杂质搀染的初期重要制程。
关键字:半导体  半导体制程设备  扩散(炉)
作者:百度文库
氧化是半导体制程中,最干净、单纯的一种;这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一(他种半导体,如砷化镓 GaAs,便无法用此法成长绝缘层,因为在550℃左右,砷化镓已解离释放出砷!)硅氧化层耐得住850℃ ~ 1050℃的后续制程环境,系因为该氧化层是在前述更高的温度成长;不过每生长出1 微米厚的氧化层,硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。
关键字:半导体  生产工艺  生产流程  半导体制程设备
作者:百度文库
硅晶圆 (silicon wafer) 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体,显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程,大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky) 拉晶法 (CZ法)。拉晶时,将特定晶向 (orientation) 的晶种 (seed),浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt) 中,并同时旋转拉出,硅原子便依照晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓的晶棒 (ingot)。
关键字:半导体  生产工艺  生产流程  晶圆制作
作者:百度文库
一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。
关键字:半导体  生产工艺  生产流程  洁净室
作者:百度文库
仪器开机或按复位键后,进入初始状态(1)。此时光标指针指向“电阻”,直接按“确定”键进入状态(2),显示变化的充电电流和测量时间,充电完成后自动进入状态(3),显示电阻值、测量电流和测量时间,此时每按一次“确定”键则储存一次测量结果(带打印机的机型同时打印出测量结果)。按“复位”键退出电阻测量,进入状态(4),显示放电电流。放电结束后,自动回到初始状态(1),完成一次电阻测量。
关键字:直流电阻测试仪  仪器面板  操作方法
作者:百度百科
直流电阻快速测试仪(微欧计)是取代直流单、双臂电桥的高精度换代产品。直流电阻快速测试仪采用了先进的开关电源技术,由点阵式液晶显示测量结果。克服了其它同类产品由LED显示值在阳光下不便读数的缺点,同时具备了自动消弧功能。仪器若出现问题,需及时处理。
关键字:直流电阻测试仪  仪器日常维护
作者:百度百科
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